IXFN100N50P
Módulo; transístor individual; 500V; 75A; SOT227B; roscado; 1,04kW
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN100N50P
Símbolo TME:
IXFN100N50P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 75A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 49mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 250A | |
Potência dissipada | 1,04kW | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 240nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.07 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
300 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 50.80 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 50.80 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 47.60 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 47.60 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens