IXFN100N50Q3
Módulo; transístor individual; 500V; 82A; SOT227B; roscado; 960W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN100N50Q3
Símbolo TME:
IXFN100N50Q3
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 82A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 49mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 300A | |
Potência dissipada | 960W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Q3-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 255nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto35.83 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50Q3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 73.06 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 73.06 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 64.54 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 64.54 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 57.97 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 57.97 USD