IXFN120N65X2
Módulo; transístor individual; 650V; 108A; SOT227B; roscado; 890W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN120N65X2
Símbolo TME:
IXFN120N65X2
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 650V | |
Corrente de dreno | 108A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 24mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 240A | |
Potência dissipada | 890W | |
Tecnologia | HiPerFET™, X2-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 240nC | |
Tempo de prontidão | 220ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.11 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN120N65X2Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 42.89 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 42.89 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 40.48 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 40.48 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens