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IXFN132N50P3

Módulo; transístor individual; 500V; 112A; SOT227B; roscado; 1500W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN132N50P3
Símbolo TME:
IXFN132N50P3

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
500V
Corrente de dreno
112A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
39mΩ
Corrente de dreno em impulso
330A
Potência dissipada
1,5kW
Tecnologia
HiPerFET™, Polar™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
250nC
Tempo de prontidão
250ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.28 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN132N50P3
278 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 44.83 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 44.83 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 42.08 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 42.08 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 40.37 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 40.37 USD
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 37.05 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 37.05 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Produto raramente disponível
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens