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IXFN140N25T

Módulo; transístor individual; 250V; 120A; SOT227B; roscado; 690W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN140N25T
Símbolo TME:
IXFN140N25T

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
250V
Corrente de dreno
120A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
17mΩ
Corrente de dreno em impulso
400A
Potência dissipada
690W
Tecnologia
GigaMOS™, HiPerFET™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
255nC
Tempo de prontidão
200ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.12 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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IXFN140N25T
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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