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IXFN140N30P

Módulo; transístor individual; 300V; 110A; SOT227B; roscado; 700W


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN140N30P
Símbolo TME:
IXFN140N30P

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
300V
Corrente de dreno
110A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
24mΩ
Corrente de dreno em impulso
300A
Potência dissipada
700W
Tecnologia
HiPerFET™, Polar™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
185nC
Tempo de prontidão
200ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.02 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN140N30P
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
Quantidade mínima a encomendar: 300.
Multiplicidade: 300.
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Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 30.95 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 30.95 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens