IXFN160N30T
Módulo; transístor individual; 300V; 130A; SOT227B; roscado; 900W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN160N30T
Símbolo TME:
IXFN160N30T
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 300V | |
Corrente de dreno | 130A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 19mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 444A | |
Potência dissipada | 900W | |
Tecnologia | GigaMOS™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 376nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto35.8 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN160N30TQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 29.48 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 29.48 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 26.73 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 26.73 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens