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IXFN170N65X2

Módulo; transístor individual; 650V; 170A; SOT227B; roscado; 1170W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN170N65X2
Símbolo TME:
IXFN170N65X2

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
170A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
13mΩ
Corrente de dreno em impulso
340A
Potência dissipada
1,17kW
Tecnologia
HiPerFET™, X2-Class
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
434nC
Tempo de prontidão
270ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.09 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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IXFN170N65X2
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 52.68 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 52.68 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 47.12 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 47.12 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 44.25 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 44.25 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens