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Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Tensão dreno-fonte | 200V | |
Corrente de dreno | 180A | |
Caixa | SOT227B | |
Resistência no estado de condução | 12,5mΩ | |
Potência dissipada | 700W | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Montagem mecânica | roscado |