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IXFN180N25T

Módulo; transístor individual; 250V; 168A; SOT227B; roscado; 900W


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN180N25T
Símbolo TME:
IXFN180N25T

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
250V
Corrente de dreno
168A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
12,9mΩ
Corrente de dreno em impulso
500A
Potência dissipada
900W
Tecnologia
GigaMOS™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
364nC
Tempo de prontidão
200ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.15 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN180N25T
23 em stock na TME
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 34.07 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 34.07 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 29.16 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 29.16 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 26.22 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 26.22 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 23.82 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 23.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 22.13 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 22.13 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens