IXFN180N25T
Módulo; transístor individual; 250V; 168A; SOT227B; roscado; 900W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN180N25T
Símbolo TME:
IXFN180N25T
Especificação
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 250V | ||
Corrente de dreno | 168A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 12,9mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 500A | ||
Potência dissipada | 900W | ||
Tecnologia | GigaMOS™ | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Carga da porta | 364nC | ||
Tempo de prontidão | 200ns | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.15 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN180N25TQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
31 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 31.36 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 31.36 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 24.96 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 24.96 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 22.41 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 22.41 USD
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 20.99 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 20.99 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens