IXFN200N10P
Módulo; transístor individual; 100V; 200A; SOT227B; roscado; 680W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN200N10P
Símbolo TME:
IXFN200N10P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 100V | |
Corrente de dreno | 200A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 7,5mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 400A | |
Potência dissipada | 680W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 235nC | |
Tempo de prontidão | 150ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.04 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN200N10PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 26.72 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 26.72 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 23.74 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 23.74 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 22.90 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 22.90 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens