IXFN20N120P
Módulo; transístor individual; 1,2kV; 20A; SOT227B; roscado; 595W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN20N120P
Símbolo TME:
IXFN20N120P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 20A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 570mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 50A | |
Potência dissipada | 595W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 193nC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.11 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
17 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 16.00 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 16.00 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 15.26 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 15.26 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 15.22 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 15.22 USD
O produto está disponível até ao final de stock
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens