IXFN210N20P
Módulo; transístor individual; 200V; 188A; SOT227B; roscado; 1070W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN210N20P
Símbolo TME:
IXFN210N20P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 200V | |
Corrente de dreno | 188A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 10,5mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 600A | |
Potência dissipada | 1,07kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 255nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.01 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
299 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 44.76 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 44.76 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 40.85 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 40.85 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 39.22 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 39.22 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 36.98 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 36.98 USD
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 35.21 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 35.21 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens