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IXFN210N30P3

Módulo; transístor individual; 300V; 192A; SOT227B; roscado; 1500W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN210N30P3
Símbolo TME:
IXFN210N30P3

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
300V
Corrente de dreno
192A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
14,5mΩ
Corrente de dreno em impulso
550A
Potência dissipada
1,5kW
Tecnologia
HiPerFET™, Polar3™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
268nC
Tempo de prontidão
250ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.05 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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IXFN210N30P3
1 em stock na TME
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