IXFN210N30P3
Módulo; transístor individual; 300V; 192A; SOT227B; roscado; 1500W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN210N30P3
Símbolo TME:
IXFN210N30P3
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 300V | |
Corrente de dreno | 192A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 14,5mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 550A | |
Potência dissipada | 1,5kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar3™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 268nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.05 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS
* IXFN210N30P3Utilize a tabela de especificação abaixo presente para pesquisar produtos semelhantes
Produto retirado da oferta
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens