IXFN26N100P
Módulo; transístor individual; 1kV; 23A; SOT227B; roscado; Idm: 65A
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN26N100P
Símbolo TME:
IXFN26N100P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1kV | |
Corrente de dreno | 23A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 390mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 65A | |
Potência dissipada | 595W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 197nC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.04 g
Certificados
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* IXFN26N100PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 41.38 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 41.38 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 36.53 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 36.53 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 32.84 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 32.84 USD
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