IXFN26N120P
Módulo; transístor individual; 1,2kV; 23A; SOT227B; roscado; 695W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN26N120P
Símbolo TME:
IXFN26N120P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 23A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,5Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 60A | |
Potência dissipada | 695W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 255nC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.12 g
Certificados
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* IXFN26N120PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 34.32 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 34.32 USD
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