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IXFN300N10P

Módulo; transístor individual; 100V; 295A; SOT227B; roscado; 1070W


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN300N10P
Símbolo TME:
IXFN300N10P

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
100V
Corrente de dreno
295A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
5,5mΩ
Corrente de dreno em impulso
900A
Potência dissipada
1,07kW
Tecnologia
HiPerFET™, Polar™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
279nC
Tempo de prontidão
200ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.17 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN300N10P
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