IXFN30N120P
Módulo; transístor individual; 1,2kV; 30A; SOT227B; roscado; 890W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN30N120P
Símbolo TME:
IXFN30N120P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 30A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,35Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 75A | |
Potência dissipada | 890W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 310nC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.6 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN30N120PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 80.77 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 80.77 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 71.42 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 71.42 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 64.14 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 64.14 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens