IXFN320N17T2
Módulo; transístor individual; 170V; 260A; SOT227B; roscado; 1070W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN320N17T2
Símbolo TME:
IXFN320N17T2
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 170V | |
Corrente de dreno | 260A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 5,2mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 800A | |
Potência dissipada | 1,07kW | |
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 640nC | |
Tempo de prontidão | 150ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.9 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN320N17T2
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 58.44 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 58.44 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 51.68 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 51.68 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 46.41 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 46.41 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens