IXFN32N120P
Módulo; transístor individual; 1,2kV; 32A; SOT227B; roscado; 1000W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN32N120P
Símbolo TME:
IXFN32N120P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | |
Corrente de dreno | 32A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,31Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 100A | |
Potência dissipada | 1kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 360nC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.27 g
Certificados
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* IXFN32N120PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 93.68 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 93.68 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 82.75 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 82.75 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 74.35 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 74.35 USD
Produto raramente disponível
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens