IXFN32N80P
Módulo; transístor individual; 800V; 29A; SOT227B; roscado; 625W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN32N80P
Símbolo TME:
IXFN32N80P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 800V | |
Corrente de dreno | 29A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,27Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 250A | |
Potência dissipada | 625W | |
Tecnologia | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 150nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.98 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 33.76 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 33.76 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 30.44 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 30.44 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 26.78 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 26.78 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens