IXFN360N10T
Módulo; transístor individual; 100V; 360A; SOT227B; roscado; 830W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN360N10T
Símbolo TME:
IXFN360N10T
Especificação
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 100V | ||
Corrente de dreno | 360A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 2,6mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 900A | ||
Potência dissipada | 830W | ||
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™ | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Carga da porta | 525nC | ||
Tempo de prontidão | 130ns | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.9 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N10TQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 30.71 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 30.71 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 26.02 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 26.02 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 23.89 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 23.89 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 22.71 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 22.71 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 21.76 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 21.76 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itensPapelão = 60 itens