IXFN360N10T
Módulo; transístor individual; 100V; 360A; SOT227B; roscado; 830W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN360N10T
Símbolo TME:
IXFN360N10T
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 100V | |
Corrente de dreno | 360A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 2,6mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 900A | |
Potência dissipada | 830W | |
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 525nC | |
Tempo de prontidão | 130ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.9 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N10T
232 em stock na TME
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 28.82 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 28.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 27.05 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 27.05 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 24.31 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 24.31 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itensPapelão = 60 itens