IXFN360N15T2
Módulo; transístor individual; 150V; 310A; SOT227B; roscado; 1070W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN360N15T2
Símbolo TME:
IXFN360N15T2
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 150V | |
Corrente de dreno | 310A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 4mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 900A | |
Potência dissipada | 1,07kW | |
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 715nC | |
Tempo de prontidão | 150ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.17 g
Certificados
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* IXFN360N15T2Quantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens