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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	transístor individual
Tensão dreno-fonte	150V
Corrente de dreno	310A
Caixa	SOT227B
Montagem elétrica	roscado
Polarização	unipolar
Resistência no estado de condução	4mΩ
Corrente de dreno em impulso	900A
Potência dissipada	1,07kW
Tecnologia	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Espécie de canal	enriquecido
Carga da porta	715nC
Tempo de prontidão	150ns
Tensão descarga-fonte	±30V
Montagem mecânica	roscado

IXFN360N15T2

Módulo; transístor individual; 150V; 310A; SOT227B; roscado; 1070W

Especificação