IXFN36N100
Módulo; transístor individual; 1kV; 36A; SOT227B; roscado; 694W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN36N100
Símbolo TME:
IXFN36N100
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1kV | |
Corrente de dreno | 36A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,24Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 144A | |
Potência dissipada | 694W | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 380nC | |
Tempo de prontidão | 180ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.27 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN36N100Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 99.20 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 99.20 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 87.64 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 87.64 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 78.72 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 78.72 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens