IXFN38N100P
Módulo; transístor individual; 1kV; 38A; SOT227B; roscado; 1000W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN38N100P
Símbolo TME:
IXFN38N100P
Especificação
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 1kV | ||
Corrente de dreno | 38A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 0,21Ω | ||
Corrente de dreno em impulso | 120A | ||
Potência dissipada | 1kW | ||
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Carga da porta | 0,35µC | ||
Tempo de prontidão | 300ns | ||
Tensão descarga-fonte | ±40V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.24 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN38N100PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 44.98 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 44.98 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 42.15 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 42.15 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens