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IXFN40N90P

Módulo; transístor individual; 900V; 33A; SOT227B; roscado; 695W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN40N90P
Símbolo TME:
IXFN40N90P

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
900V
Corrente de dreno
33A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
0,23Ω
Corrente de dreno em impulso
80A
Potência dissipada
695W
Tecnologia
HiPerFET™, Polar™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
230nC
Tempo de prontidão
300ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto36.89 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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IXFN40N90P
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 38.44 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 38.44 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 35.56 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 35.56 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens