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IXFN420N10T

Módulo; transístor individual; 100V; 420A; SOT227B; roscado; 670nC

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN420N10T
Símbolo TME:
IXFN420N10T

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
100V
Corrente de dreno
420A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
2,3mΩ
Corrente de dreno em impulso
1kA
Potência dissipada
1,07kW
Tecnologia
GigaMOS™, HiPerFET™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
670nC
Tempo de prontidão
140ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.1 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN420N10T
120 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 35.59 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 35.59 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 31.90 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 31.90 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 29.60 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 29.60 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 28.45 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 28.45 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 27.06 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 27.06 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens