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IXFN44N100P

Módulo; transístor individual; 1kV; 37A; SOT227B; roscado; 890W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN44N100P
Símbolo TME:
IXFN44N100P

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
1kV
Corrente de dreno
37A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
0,22Ω
Corrente de dreno em impulso
110A
Potência dissipada
890W
Tecnologia
HiPerFET™, Polar™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
0,35µC
Tempo de prontidão
300ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.12 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN44N100P
9 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 39.73 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 39.73 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 36.94 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 36.94 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens