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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	transístor individual
Tensão dreno-fonte	1kV
Corrente de dreno	38A
Caixa	SOT227B
Montagem elétrica	roscado
Polarização	unipolar
Resistência no estado de condução	0,22Ω
Corrente de dreno em impulso	110A
Potência dissipada	960W
Tecnologia	HiPerFET™, Q3-Class
Espécie de canal	enriquecido
Carga da porta	264nC
Tempo de prontidão	300ns
Tensão descarga-fonte	±40V
Montagem mecânica	roscado

IXFN44N100Q3

Módulo; transístor individual; 1kV; 38A; SOT227B; roscado; 960W

Especificação