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IXFN48N60P

Módulo; transístor individual; 600V; 40A; SOT227B; roscado; 625W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN48N60P
Símbolo TME:
IXFN48N60P

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
600V
Corrente de dreno
40A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
0,14Ω
Corrente de dreno em impulso
110A
Potência dissipada
625W
Tecnologia
HiPerFET™, PolarHV™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
150nC
Tempo de prontidão
200ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto36.99 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN48N60P
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Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 24.61 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 24.61 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 23.68 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 23.68 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 22.58 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 22.58 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)