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Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 75V | ||
Corrente de dreno | 480A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 1,9mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 1,5kA | ||
Potência dissipada | 940W | ||
Tecnologia | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Carga da porta | 545nC | ||
Tempo de prontidão | 150ns | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |