IXFN60N80P
Módulo; transístor individual; 800V; 53A; SOT227B; roscado; 1040W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN60N80P
Símbolo TME:
IXFN60N80P
Especificação
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 800V | ||
Corrente de dreno | 53A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 0,14Ω | ||
Corrente de dreno em impulso | 150A | ||
Potência dissipada | 1,04kW | ||
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Carga da porta | 250nC | ||
Tempo de prontidão | 250ns | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.31 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 45.08 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 45.08 USD
Preço líquido para as quantidades de 2 itens - 43.39 USDPreço bruto para as quantidades de 2 itens - 43.39 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 41.80 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 41.80 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 40.44 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 40.44 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens