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Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 50A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 85mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 150A | |
Potência dissipada | 625W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 150nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |