NOVIDADE
IXFN70N100X
Módulo; 1kV; 65A; SOT227B; 1,2kW; HiPerFET™; 310ns; roscado
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN70N100X
Símbolo TME:
IXFN70N100X
Especificação
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Tensão dreno-fonte | 1kV | ||
Corrente de dreno | 65A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Resistência no estado de condução | 89mΩ | ||
Potência dissipada | 1,2kW | ||
Tecnologia | HiPerFET™ | ||
Tempo de prontidão | 310ns | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto1 g
Certificados
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* IXFN70N100XQuantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 59.44 USDPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 59.44 USD