IXFN73N30
Módulo; transístor individual; 300V; 73A; SOT227B; roscado; 520W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN73N30
Símbolo TME:
IXFN73N30
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 300V | |
Corrente de dreno | 73A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 45mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 292A | |
Potência dissipada | 520W | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 360nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto45.657 g
Certificados
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* IXFN73N30