IXFN80N50P
Módulo; transístor individual; 500V; 66A; SOT227B; roscado; 700W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN80N50P
Símbolo TME:
IXFN80N50P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 66A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 65mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 200A | |
Potência dissipada | 700W | |
Tecnologia | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 195nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
0 em stock na TME
Produto para encomenda especial
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens