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IXFN80N50Q3

Módulo; transístor individual; 500V; 63A; SOT227B; roscado; 780W


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN80N50Q3
Símbolo TME:
IXFN80N50Q3

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
500V
Corrente de dreno
63A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
65mΩ
Corrente de dreno em impulso
240A
Potência dissipada
780W
Tecnologia
HiPerFET™, Q3-Class
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
200nC
Tempo de prontidão
250ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.16 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN80N50Q3
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 53.82 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 53.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 45.41 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 45.41 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 43.82 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 43.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 42.80 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 42.80 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 41.92 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 41.92 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens