IXFN80N50Q3
Módulo; transístor individual; 500V; 63A; SOT227B; roscado; 780W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN80N50Q3
Símbolo TME:
IXFN80N50Q3
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 63A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 65mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 240A | |
Potência dissipada | 780W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Q3-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 200nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.16 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50Q3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 47.01 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 47.01 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 44.05 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 44.05 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens