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IXFN80N60P3

Módulo; transístor individual; 600V; 66A; SOT227B; roscado; 960W


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN80N60P3
Símbolo TME:
IXFN80N60P3

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
600V
Corrente de dreno
66A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
77mΩ
Corrente de dreno em impulso
200A
Potência dissipada
960W
Tecnologia
HiPerFET™, Polar3™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
0,19µC
Tempo de prontidão
250ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.1 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN80N60P3
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 37.82 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 37.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 30.23 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 30.23 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 28.82 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 28.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 28.00 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 28.00 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 26.99 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 26.99 USD
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 25.59 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 25.59 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens