IXFN80N60P3
Módulo; transístor individual; 600V; 66A; SOT227B; roscado; 960W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN80N60P3
Símbolo TME:
IXFN80N60P3
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 600V | |
Corrente de dreno | 66A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 77mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 200A | |
Potência dissipada | 960W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar3™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 0,19µC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.1 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N60P3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 32.74 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 32.74 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 26.61 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 26.61 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 24.49 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 24.49 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 22.69 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 22.69 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens