IXFN82N60P
Módulo; transístor individual; 600V; 72A; SOT227B; roscado; 1040W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN82N60P
Símbolo TME:
IXFN82N60P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 600V | |
Corrente de dreno | 72A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 75mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 200A | |
Potência dissipada | 1,04kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 240nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto29.69 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60P
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 46.11 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 46.11 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 35.56 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 35.56 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 33.75 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 33.75 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 32.96 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 32.96 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 32.27 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 32.27 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens