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IXFN94N50P2

Módulo; transístor individual; 500V; 68A; SOT227B; roscado; 780W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN94N50P2
Símbolo TME:
IXFN94N50P2

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
500V
Corrente de dreno
68A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
55mΩ
Corrente de dreno em impulso
240A
Potência dissipada
780W
Tecnologia
HiPerFET™, Polar2™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
0,22µC
Tempo de prontidão
250ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.5 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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IXFN94N50P2
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Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 28.42 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 28.42 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 25.57 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 25.57 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)