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IXGN100N170

Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 95A; SOT227B


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXGN100N170
Símbolo TME:
IXGN100N170

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
IGBT
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão máxima inversa
1,7kV
Corrente do coletor
95A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Tensão porta - emissor
±20V
Corrente do coletor no impulso
600A
Potência dissipada
735W
Tecnologia
NPT
Propriedades de dispositivos semicondutores
de alta tensão
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.13 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Módulos IGBT IXYS,
*
IXGN100N170
0 em stock na TME
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 67.75 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 67.75 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 62.47 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 62.47 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 57.99 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 57.99 USD
Preço líquido para as quantidades de 30 itens - 53.98 USDPreço bruto para as quantidades de 30 itens - 53.98 USD
Preço líquido para as quantidades de 40 itens - 53.17 USDPreço bruto para as quantidades de 40 itens - 53.17 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens