IXGN200N170
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; 1,25kW
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXGN200N170
Símbolo TME:
IXGN200N170
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,7kV | |
Corrente do coletor | 160A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 1,05kA | |
Potência dissipada | 1,25kW | |
Tecnologia | NPT | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXGN200N170Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 64.96 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 64.96 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 59.88 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 59.88 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 57.78 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 57.78 USD