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Fabricante	IXYS
Tipo de módulo semicondutor	IGBT
Estrutura do semicondutor	transístor individual
Tensão máxima inversa	0,6kV
Corrente do coletor	200A
Caixa	SOT227B
Montagem elétrica	roscado
Tensão porta - emissor	±20V
Corrente do coletor no impulso	1,2kA
Potência dissipada	830W
Tecnologia	GenX3™, PT
Montagem mecânica	roscado

IXGN200N60B3

Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B

Especificação