IXGN320N60A3
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXGN320N60A3
Símbolo TME:
IXGN320N60A3
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 0,6kV | |
Corrente do coletor | 170A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 1,2kA | |
Potência dissipada | 735W | |
Tecnologia | GenX3™, PT | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.12 g
Certificados
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* IXGN320N60A3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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