IXGN50N120C3H1
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXGN50N120C3H1
Símbolo TME:
IXGN50N120C3H1
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 50A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±20V | |
Corrente do coletor no impulso | 240A | |
Potência dissipada | 460W | |
Tecnologia | GenX3™, PT | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.05 g
Certificados
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* IXGN50N120C3H1
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 47.60 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 47.60 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 42.87 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 42.87 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 37.92 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 37.92 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens