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IXKN75N60C

Módulo; transístor individual; 600V; 50A; SOT227B; roscado; 560W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXKN75N60C
Símbolo TME:
IXKN75N60C

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
600V
Corrente de dreno
50A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
36mΩ
Corrente de dreno em impulso
250A
Potência dissipada
560W
Tecnologia
CoolMOS™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
500nC
Tempo de prontidão
580ns
Tensão descarga-fonte
±20V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto36.01 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXKN75N60C
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Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 61.57 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 61.57 USD
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 60.71 USDPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 60.71 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens