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IXTA2N100P

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXTA2N100P
Símbolo TME:
IXTA2N100P

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de transístor
N-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1kV
Corrente de dreno
2A
Potência dissipada
86W
Caixa
TO263
Montagem
SMD
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
enriquecido
Propriedades de dispositivos semicondutores
standard power mosfet
Tempo de prontidão
800ns
Peso bruto1.49 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD IXYS,
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IXTA2N100P
293 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 2.84 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 2.84 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 2.50 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 2.50 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 2.27 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 2.27 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 2.11 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 2.11 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Método de embalagem do fabricanteRolo = 50 itens