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IXTA3N100D2

Transístor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXTA3N100D2
Símbolo TME:
IXTA3N100D2

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de transístor
N-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
1kV
Corrente de dreno
3A
Potência dissipada
125W
Caixa
TO263
Resistência no estado de condução
Montagem
SMD
Carga da porta
1,02µC
Espécie de embalagem
tubo
Espécie de canal
depleção
Tempo de prontidão
17ns
Peso bruto2.5 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transístores com canal N SMD IXYS,
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IXTA3N100D2
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