IXTN170P10P
Módulo; transístor individual; -100V; -170A; SOT227B; roscado
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXTN170P10P
Símbolo TME:
IXTN170P10P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | -100V | |
Corrente de dreno | -170A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 14mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | -510A | |
Potência dissipada | 890W | |
Tecnologia | PolarP™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 240nC | |
Tempo de prontidão | 176ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXTN170P10PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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