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IXTN30N100L

Módulo; transístor individual; 1kV; 30A; SOT227B; roscado; Idm: 70A

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXTN30N100L
Símbolo TME:
IXTN30N100L

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
1kV
Corrente de dreno
30A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
0,45Ω
Corrente de dreno em impulso
70A
Potência dissipada
800W
Tecnologia
Linear™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
545nC
Tempo de prontidão
1µs
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto30 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXTN30N100L
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